Ето че в интернет пространството вече са налични някои подробности за проектирания от специалистите на IBM транзистор от нов тип, подходящ за създаване на нов клас енергонезависима памет. Ролята на полупроводник в новия транзистор се изпълнява не от силиций, а от ванадиев диоксид (VO2).
Под въздействието на положително заредена йонна течност се извършва фазов преход в метално състояние, а чрез отрицателно заредена – в изолатор.
Откритието е изключително полезно, поради факта, че специалистите на IBM са успели да намерят такъв материал, който кара ванадиевият диоксид да преминава в метално състояние и да го запазва, докато не влезе в контакт с отрицателно заредената йонна течност. В този случай кислородът се връща в съединението и вместо метал се получава изолатор VO2.
Преимуществата на паметта, изградена от подобни транзистори е нейната енергонезависимост. Тя може да работи без включване към електрическо захранване – подобно на човешкия мозък, което може значително да понижи консумираната енергия от интегралните схеми.
За автора
