Първия ReRAM чип изцяло на основа на силициев окис, създаде екип учени от University College London (UCL)

По принцип ReRAM чиповете се правят най-често от окиси на метали, чието електрическо съпротивление се променя при подаване на напрежение и те “запомнят” тази промяна дори след изключване на захранването.Новите чипове имат възможност за запаметяване на много повече информация, отколкото при съвременните USB флаш памети и се нуждаят от много по-малко енергия и пространство.
Британските учени са разработили нов материал от силициев окис, който извършва промяната на съпротивлението много по-ефективно от досегашните разработки. В него подредбата на силициевите атоми се променя, и вътре в силициевия окис се формират силициеви влакна, които са с по-малко съпротивление. Наличието или отсъствието на тези влакна представлява преминаване от едно състояние в друго. За разлика от другите чипове от силициев окис, които се разработват, този чип не се нуждае от вакуум за да работи, затова е потенциално по-евтин и траен.
Според един от учените в екипа, създал новия чип, техните ReRAM памети се нуждаят от една хилядна от енергията нужна на стандартна флаш памет, а са около сто пъти по-бързи от нея. Фактът, че чипът не се нуждае от специални условия за да работи и има съпротивление, което може постоянно да се променя дава възможност за широк кръг от приложения.

Новата технология е открита случайно, докато екипът е работил върху създаването на светодиоди от силициев двуокис е била забелязана нестабилна работа на устройствата.Според учените на острова, потенциалът на материала е огромен. Те смятат, че са доказали, че тези чипове могат да бъдат програмирани, чрез използване цикъла между две или повече състояния на проводимост. Устройства могат да са голяма стъпка напред в използването на силициеви памети, смятат още британските учени.
Технологията предлага и други приложения. Екипът изследва възможността за използване на свойствата на съпротивлението на техния материал не само като памет, но и като процесор.
mediacafe.bg – Димо Димчев