Силиций за нова супер бърза RAM памет
Първия ReRAM чип изцяло на основа на силициев окис, създаде екип учени от University College London (UCL) По принцип ReRAM чиповете се правят най-често от окиси на метали, чието електрическо съпротивление се променя при подаване на напрежение и те “запомнят” тази промяна дори след изключване на захранването.Новите чипове имат възможност за запаметяване на много повече … Продължение